家 6 月 11 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 級） DRAM 內存良率仍不足五成。
這一數(shù)據(jù)遠低于 80~90% 的業(yè)界一般目標，三星已于上月就此成立專門工作組應對。
參考IT之家以往報道，三星電子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 級 DDR5 內存開始量產，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 級 32Gb DDR5 內存開發(fā)成功。
▲ 三星電子 12nm 級 32Gb DDR5 內存
32Gb 的顆粒容量意味著三星可在不使用 TSV 工藝的情況下就能生產 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 內存條。
相比采用 TSV 的 3DS DIMM 內存，這種常規(guī)內存條功耗減少 10%，制造成本也顯著降低。
因此，12nm 級制程的 32Gb DDR5 內存顆粒被三星電子視為未來的主力產品。此番成立專門工作組旨在迅速提升良率。
三星電子還決定積極擴大 12nm 級 DRAM 的產量，未來華城 15 和平澤 P2 晶圓廠將成為這一產品的主要生產基地。后者目前主要生產 1z nm 內存，將進行工藝升級。
三星電子計劃將 12nm 級 DRAM 的產能從目前的每月 4 萬片晶圓擴張到三季度的 7 萬片和四季度的 10 萬片，明年則將進一步提升至每月 20 萬片晶圓。